MASMLJ13CAE3/TR
MASMLJ13CAE3/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MASMLJ13CAE3/TR
- 商品编号
- C5759573
- 商品封装
- SMLJ(DO-214AB)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 13V | |
| 钳位电压 | 21.5V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 139.4A@10/1000us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 3kW@10/1000us | |
| 击穿电压(VBR) | 14.4V | |
| 反向电流(Ir) | 5uA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS |
商品概述
MSMLG(J)5.0A至MXLSMLG(J)170A系列高可靠性瞬态电压抑制器(TVS)可保护电路免受高达3000W(10/1000 μs)模型脉冲的电压尖峰影响。DO - 215AB封装的SMLG鸥翼式设计可实现可见的焊接连接。DO - 214AB封装的SMLJ J型弯设计可提高印刷电路板的安装密度。可选类型包括单向和双向以及符合RoHS标准的版本。这些产品提供多种升级筛选选项以提高可靠性。它们可根据IEC61000 - 4 - 5标准防止闪电的二次效应,以及防止来自电感开关环境和射频辐射感应的电压脉冲。由于其响应时间几乎是瞬时的,因此还可根据IEC61000 - 4 - 2和IEC61000 - 4 - 4标准用于防止静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)。
商品特性
- 所有M前缀器件均为高可靠性器件,具备制造和组装批次可追溯性,所有器件均经过100%浪涌测试。
- 对所有M前缀器件的待机电流(ID)进行3σ批次标准筛选,有单向和双向两种版本。
- 在10/1000 μs时可抑制高达3000W的瞬变。
- 所有M前缀器件的湿度分类为“1级”,根据IPC/JEDEC J - STD - 020B标准无需干燥包装。
- 参考MIL - PRF - 19500,M前缀器件提供增强可靠性筛选选项。有关筛选选项的更多详细信息,请参考高可靠性升级筛选塑料产品组合。(有关所有可用选项,请参阅部件命名法)
- 提供符合RoHS标准的版本。
- 提供轴向引脚等效封装,适用于通孔安装,型号为M5KP5.0A至M5KP110CA,额定功率为5000W(其他表面贴装选项请联系Microchip)。
应用领域
- 工作截止电压范围为5.0至170V
- 防止开关瞬变和感应射频
- 防止静电放电和电快速瞬变
- 二次防雷保护
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