这些器件是单通道和双通道密封光耦合器。所有器件均在经过认证的生产线上制造和测试,H级和K级器件包含在合格制造商列表中。建议在处理和组装本组件时采取常规静电防护措施,以防止静电放电可能造成的损坏或性能下降。每个通道包含一个AlGaAs发光二极管,该二极管与集成的高增益光子探测器光耦合。这种组合实现了极高的数据传输能力。探测器具有带滞回的阈值,通常提供0.25mA的差模噪声容限,并最大限度地减少输出信号抖动的可能性。单通道器件中的探测器具有三态输出级,无需上拉电阻,可直接驱动数据总线。所有器件均兼容TTL、STTL、LSTTL和HCMOS逻辑系列。35ns的脉冲宽度失真规格保证了在+125℃下、具有35%脉冲宽度失真时的10MBd信号速率。这些部件的封装样式包括8引脚DIP通孔和陶瓷无引线芯片载体。器件可提供多种引脚弯曲和镀层选项。由于本数据表中列出的每个器件的每个通道均使用相同的电学芯片,因此所有部件的最大额定值、推荐工作条件、电气规格以及图中所示的性能特性均相似。偶尔存在因封装差异和限制而产生的例外情况,并会注明。此外,所有器件均使用相同的封装组装工艺和材料。这些相似性为使用从一个部件获得的数据来代表其他部件在芯片相关可靠性及某些有限辐射测试结果方面的性能提供了依据。镀金引脚的最大金层厚度小于100微英寸,典型值为60至90微英寸。镀锡引脚为Sn63/Pb37。所有DIP器件具有公共的VCC和地。LCCC封装具有隔离通道,带有独立的VCC和地连接。所有图表均为顶视图。无需降额即可达到+125℃。占空比不得超过5%,脉冲宽度不得超过50μs。仅适用于单通道产品。必须在VCC和地之间连接一个0.01μF至0.1μF的外部旁路电容。电气特性测试条件为:TA = -55℃至+125℃,4.75V ≤ VCC ≤ 5.25V,6mA ≤ IF(ON) ≤ 10mA,0V ≤ VF(OFF) ≤ 0.7V,除非另有说明。商业部件在25℃下进行100%测试。SMD、H级和K级部件在25℃、125℃和-55℃下进行100%测试。所有典型值均在VCC = 5V、TA = 25℃、IF = 8mA条件下测得,除非另有说明。每个通道。HCPL-6430、HCPL-6431和HCPL-643K为双通道器件。