SH8M4TB1
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:9A 电流:7A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- SH8M4TB1
- 商品编号
- C5753785
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接覆铜基板（Direct-Copper-Bond）上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500 V电气隔离
- 低漏极至散热片电容（< 30 pF）
- CoolMOS 1) 功率MOSFET
- 第三代产品
- 高阻断能力
- 极低电阻
- 雪崩额定适用于无钳位电感开关（UIS）
- 芯片厚度减小，热阻低
- 增强型总功率密度
应用领域
- 开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-焊接-感应加热-PDP和LCD适配器