GAN041-650WSBQ

1个N沟道 耐压:650V 电流:47.2A

描述

GAN041 - 650WSB是一款采用TO - 247封装的650 V、35 mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。它是一款常关型器件，结合了安世半导体（Nexperia）最新的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）H2技术和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。

品牌名称

Nexperia(安世)

商品型号

GAN041-650WSBQ

商品编号

C5749215

商品封装

TO-247-3​

包装方式

管装

商品毛重

6.1克(g)