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GAN041-650WSBQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:47.2A
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- 描述
- GAN041 - 650WSB是一款采用TO - 247封装的650 V、35 mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。它是一款常关型器件，结合了安世半导体（Nexperia）最新的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）H2技术和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- GAN041-650WSBQ
- 商品编号
- C5749215
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 147pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ |