G3VM-41UR4(TR05)

紧凑型VSON封装，安装面积为3.55 mm²，具有低输出电容和低导通电阻。可用型号包括：

• G3VM-41UR12：低CXR = 4.5 pF·Ω，COFF（标准）= 0.3 pF，RON（标准）= ±5 Ω
• G3VM-41UR10：低cXR = 5.4 pF·Ω，COFF（标准）= 0.45 pF，RON（标准）= 12 Ω
• G3VM-41UR11：低cXR = 4.9 pF·Ω，COFF（标准）= 0.7 pF，RON（标准）= 7 Ω
• G3VM-41UR4：低cXR = 10 pF·Ω，COFF（标准）= 5 pF，RON（标准）= ±Ω
• G3VM-51UR：低CXR = 12 pF·Ω，COFF（标准）= 12 pF，RON（标准）= 1 Ω

这些MOS FET继电器的工作环境温度范围从-40℃到±110℃。它们适用于半导体测试设备、测试与测量设备、通信设备以及数据记录仪等应用。

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪