IS62WV2568BLL-55TLI
256Kx8 低电压超低功耗 CMOS 静态 RAM
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- 描述
- 是高速的 2M 位静态随机存取存储器,组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平(未选中)或 CS2 为低电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入,可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP(I 型)、sTSOP(I 型)和 36 引脚迷你 BGA 封装。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WV2568BLL-55TLI
- 商品编号
- C5741532
- 商品封装
- TSOPI-32
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 3.018571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.5V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 30mA | |
| 待机电流 | 10uA |
优惠活动
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