IS62WV2568BLL-55TLI
256Kx8 低电压超低功耗 CMOS 静态 RAM
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- 描述
- 是高速的 2M 位静态随机存取存储器,组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平(未选中)或 CS2 为低电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入,可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP(I 型)、sTSOP(I 型)和 36 引脚迷你 BGA 封装。
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS62WV2568BLL-55TLI
- 商品编号
- C5741532
- 商品封装
- TSOPI-32
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 3.018571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.5V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 30mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
- IS62WVS5128FBLL-20NLI
- IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR
- IS64LF25636B-7.5TQLA3
- FCAV-210-HX3
- S-13R1G15-M5T1U3
- FCAV-325-BX3
- FCAV-325-BY4
- S-13R1G16-N4T1U3
- FCAV-325-CX3
- FCAV-410-CY4
- S-13R1G17-N4T1U3
- FCB-205-0125L
- FCB-205-0225M
- S-13R1G20-N4T1U3
- FCB-205-AY2
- FCB-205-BY3
- IS64LPS102436B-166B3LA3
- FCB-405-BW4
- S-13R1G21-M5T1U3
- FCB-405-BY3
- ISA0305-H

