IRFIZ44GPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFIZ44GPBF
- 商品编号
- C5741265
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。对于低外形应用，有通孔版本（IRFBC20L、SiHFBC20L）可供选择。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻