- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGI60F5050A1LAUMA1
集成半桥氮化镓功率级，带快速精确的隔离栅极驱动器，适用于多种电源拓扑
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGI60F5050A1LAUMA1
- 商品编号
- C5740689
- 商品封装
- TIQFN-28
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169746克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | - | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 5.5V~12V | |
| 上升时间(tr) | 6ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.3V | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1.4mA | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
IGI60F5050A1L 集成了一个半桥功率级，由两个500 mΩ（典型Rdson）/600 V增强型CoolGaN HEMT和专用栅极驱动器组成，采用小型8×8 mm QFN-28封装。在低至中等功率区域，它非常适合支持高密度AC/DC充电器和适配器的设计，利用CoolGaN HEMT的开关行为。CoolGaN及相关功率开关提供稳健的栅极结构。当在开状态下由几mA的连续栅极电流驱动时，始终保证最小导通电阻Rdson。由于GaN特有的低阈值电压和快速开关瞬态，在某些应用中需要负栅极驱动电压以实现快速关断并避免交叉导通效应。这可以通过驱动器和开关之间众所周知的RC接口实现。几个外部SMD电阻和电容使得易于适应不同的功率拓扑。驱动器利用片上无芯变压器技术（CT）实现信号电平移位到高侧。此外，CT保证即使在超过300 V/ns的极快开关瞬态下也具有稳健性。
商品特性
- 两个500 mΩ GaN开关以半桥配置，具有专用高侧和低侧隔离栅极驱动器
- 源/汇驱动电流高达1/2 A
- 应用可配置的开启和关闭速度
- 快速输入到输出传播（典型47 ns），具有极小的通道间失配
- PWM输入信号（开关频率高达3 MHz）
- 标准逻辑输入电平与数字控制器兼容
- 宽电源范围
- 单栅极驱动器电源电压可能（典型8 V），具有快速UVLO恢复
- 低侧开漏用于电流感测，带外部分流电阻
- 基于稳健无芯变压器技术的电流输入到输出隔离
- 栅极驱动器具有非常高的共模瞬态抗扰度（CMTI）>300 V/ns
- 热增强8×8 mm QFN-28封装
- 产品根据JEDEC工业应用完全合格
- RoHS
应用领域
- 低功率电机驱动
- LED照明