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IGI60F5050A1LAUMA1
集成半桥氮化镓功率级，带快速精确的隔离栅极驱动器，适用于多种电源拓扑
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGI60F5050A1LAUMA1
- 商品编号
- C5740689
- 商品封装
- TIQFN-28
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169746克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | - | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 5.5V~12V | |
| 上升时间(tr) | 6ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.3V | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1.4mA | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
IGI60F5050A1L在一个小型8×8mm的QFN - 28封装中，将由两个500mΩ（典型导通电阻R_dson）/ 600V增强型CoolGaN™ HEMT组成的半桥功率级与专用栅极驱动器相结合。在中低功率领域（如图1所示的示例应用），它非常适合利用CoolGaN™ HEMT卓越的开关性能，支持高密度AC/DC充电器和适配器的设计。英飞凌的CoolGaN™和相关功率开关提供了非常坚固的栅极结构。当在“导通”状态下由几毫安的连续栅极电流驱动时，始终能保证最小导通电阻R_dson。由于GaN特定的低阈值电压和快速开关瞬变，在某些应用中需要负栅极驱动电压，以实现快速关断并避免交叉导通效应。这可以通过驱动器和开关之间著名的RC接口来实现。几个外部贴片电阻和电容可轻松适应不同的功率拓扑。驱动器利用片上无芯变压器技术（CT）实现信号电平转换到高端。此外，CT即使在超过300V/ns的极快速开关瞬变时也能保证稳定性。
商品特性
- 半桥配置中两个500mΩ的GaN开关，配有专用的高端和低端隔离栅极驱动器
- 源/灌驱动电流高达1 / 2A
- 可通过应用配置导通和关断速度
- 快速的输入到输出传播（典型值47ns），通道间失配极小
- PWM输入信号（开关频率高达3MHz）
- 标准逻辑输入电平与数字控制器兼容
- 宽电源范围
- 可能采用单栅极驱动器电源电压（典型值8V），具有快速欠压锁定（UVLO）恢复功能
- 低端开路源极，可通过外部分流电阻进行电流检测
- 基于坚固的无芯变压器技术实现输入到输出的电流隔离
- 栅极驱动器具有非常高的共模瞬态抗扰度（CMTI）>300V/ns
- 热增强型8×8mm QFN - 28封装
- 产品完全符合JEDEC工业应用标准
- 符合RoHS标准
应用领域
- 低功率电机驱动
- LED照明