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IMT65R022M1HXUMA1
耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R022M1HXUMA1
- 商品编号
- C5740418
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
商品概述
650 V CoolSiCTM基于英飞凌(Infineon)20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。借助宽带隙碳化硅材料的特性,650 V CoolSiCTM MOSFET在性能、可靠性和易用性方面实现了独特的结合。它适用于高温和恶劣工作环境,能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 在较大电流下具有优化的开关特性
- 换向稳健的快速体二极管,Qfr 较低
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 最高结温 Ti, max = 175°C,热性能优异
- 导通电阻 RDS(on) 和脉冲电流随温度的变化较小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可将开关损耗降低至原来的四分之一
应用领域
- 电信和服务器开关电源
- 不间断电源(UPS)
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- 储能和电池化成
- D 类放大器