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IMT65R022M1HXUMA1
耐压:650V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R022M1HXUMA1
- 商品编号
- C5740418
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 在较大电流下具有优化的开关特性
- 换向稳健的快速体二极管,Qfr 较低
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 最高结温 Ti, max = 175°C,热性能优异
- 导通电阻 RDS(on) 和脉冲电流随温度的变化较小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可将开关损耗降低至原来的四分之一
应用领域
- 电信和服务器开关电源
- 不间断电源(UPS)
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- 储能和电池化成
- D 类放大器