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APM4435KC-TR实物图
  • APM4435KC-TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APM4435KC-TR

1个P沟道 耐压:30V 电流:8A

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描述
P沟道,-30V,-8A,16mΩ@-10V
商品型号
APM4435KC-TR
商品编号
C6195
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2V

商品特性

  • 30V/-8A
  • 在VGS = -10V时,RDS(ON) = 16mΩ(典型值)
  • 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 24mΩ(典型值)
  • 超高密度单元设计
  • 可靠耐用
  • SOP-8封装
  • 提供无铅产品(符合RoHS标准)

应用领域

  • 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

数据手册PDF