- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HM3-6508-5
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
HM-6508是一款采用自对准硅栅技术制造的1024×1静态CMOS RAM。采用同步电路设计技术，以实现高性能和低功耗运行。片上提供地址锁存器，便于与微处理器系统高效接口。数据输出缓冲器可强制进入高阻抗状态，用于扩展内存阵列。HM-6508是一款完全静态的RAM，可以在任何状态下无限期保持。数据保留电源电压和电源电流在整个温度范围内都有保证。
商品特性
- 低待机功耗，最大50μW
- 低工作功耗，每兆赫兹最大20mW
- 快速访问时间，最大180ns
- 数据保留电压最小2.0V
- TTL兼容输入/输出
- 高输出驱动 - 2个TTL负载
- 高抗噪性
- 片上地址寄存器
- 宽工作温度范围：
- HM - 6508 - 5：0°C至 + 70°C
- HM - 6508 - 9： - 40°C至 + 85°C
- HM - 6508 - 8： - 55°C至 + 125°C