EPC23102ENGRT

EPC23102 ePowerTM 级集成电路将半桥栅极驱动器与内部高端和低端 FET 集成在一起。集成采用 EPC 专有的 GaN 集成电路技术实现。单片芯片集成了输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路，用于控制配置为半桥功率级的高端和低端 eGaN 输出 FET。从低端到高端通道的稳健电平转换器设计为即使在大的负钳位电压下，也能在软开关和硬开关条件下正常工作，并避免由快速 dv/dt 瞬变（包括由外部源或其他相位驱动的瞬变）引起的误触发。内部电路集成了逻辑和自举电源的充电和禁用功能。增加了保护功能，以防止输出 FET 在电源电压较低甚至完全丢失时意外导通。 这款单芯片 GaN 集成电路采用倒装芯片到引线框架技术，安装在一个 3.5×5 mm 的四方扁平无引脚（QFN）封装内。这种封装结构使电源端子到下层 PCB 焊盘的寄生电感非常低。外露的 QFN 焊盘设计为高低压引脚之间至少有 0.6 mm 的间距，以满足 100 V 时的 IPC 电压爬电规则。另一项改进是将 GaN 集成电路管芯的背面暴露在封装顶部，同时将 GaN 管芯的其余部分完全封装起来。这使得从管芯结到连接的散热器有一条热阻非常低的路径，从而实际上提高了允许功率。

• 集成高端和低端 eGaN FET 以及内部栅极驱动器和电平转换器
• 5 V 外部偏置电源
• 3.3 V 或 5 V CMOS 输入逻辑电平
• 独立的高端和低端控制输入
• 逻辑互锁：当两个输入同时为高电平时，命令两个 FET 关断
• 外部电阻可调节 SW 开关时间以及高于电源轨和低于地的过压尖峰
• 稳健的电平转换器，适用于硬开关和软开关条件
• 对快速开关瞬变具有抗误触发能力
• 高端自举电源同步充电
• 禁用输入可使 VDRV 电源进入低静态电流模式
• 低端 VDD 电源上电复位
• 高端 VBoot 电源上电复位
• VDRV 电源丢失时，HS FET 和 LS FET 有源栅极下拉
• 热增强型 QFN 封装，顶部外露，从结到顶部散热器的热阻低

• 降压、升压、降压 - 升压转换器
• 半桥、全桥 LLC 转换器
• 电机驱动逆变器
• D 类音频放大器