HAT1093C-EL-E
HAT1093C-EL-E
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HAT1093C-EL-E
- 商品编号
- C5728632
- 商品封装
- FPAK-6cm
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 低导通电阻
- RDS(导通) = 41 mΩ(典型值,VGS = -4.5 V 时)
- 低驱动电流
- 1.8 V 栅极驱动器件
- 高密度贴装
应用领域
- 电机控制-DC-DC转换器-电源管理