RM135N100T2
1个N沟道 耐压:100V 电流:135A
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM135N100T2
- 商品编号
- C5725640
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
RM135N100T2采用超级沟槽技术,经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和 QG 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 100 V, ID = 135 A
- RDS(ON)< 4.5 m Ω@ VGS=10 V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流