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DG2001EDV-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DG2001EDV-T1-GE3

DG2001E SPDT 模拟开关(2:1 多路复用器)

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描述
高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关,设计用于1.8V至5.5V操作,具有低导通电阻、低功耗和快速切换速度。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
DG2001EDV-T1-GE3
商品编号
C5721264
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路2:1
通道数1
工作电压1.8V~5.5V
导通时间(ton)32ns
属性参数值
导通电阻(Ron)850mΩ
关闭时间(toff)26ns
工作温度-40℃~+85℃
导通电容(Con)53pF

商品概述

DG2001E是一款高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关,设计用于单电源1.8 V至5.5 V供电。 该器件采用高密度CMOS技术制造,在5V电源下可实现0.85 Ω的低导通电阻、低功耗和快速开关速度。 DG2001E能够处理模拟和数字信号,并允许幅值高达V+的信号双向传输。其控制逻辑输入电压可超过V+,最高达5.5 V。在高达5.5 V的电源范围内,控制逻辑输入高阈值低至1.8 V。它具有先断后通的开关性能。 开关内置掉电保护电路,可防止在掉电时从COM引脚到V+出现异常电流。每个输出引脚可承受大于7 kV(人体模型)的静电。 工作温度范围为 -40 ℃至 +85 ℃。 DG2001E采用TSOP-6封装。

商品特性

  • 低开关导通电阻(0.85 Ω)
  • 1.8 V至5.5 V单电源供电
  • 掉电模式下隔离
  • 符合RoHS标准
  • 保证1.8 V逻辑高电平
  • 无卤
  • 控制逻辑输入电压可超过V+
  • 低电荷注入(8 pC)
  • 先断后通开关
  • 闩锁性能超过JESD 78标准规定的300 mA
  • ESD测试 - 人体模型7000 V(JS-001) - 充电器件模型1000 V(JS-002)

应用领域

  • 消费电子和计算机领域
  • 便携式仪器
  • 医疗设备
  • 电池供电系统

数据手册PDF