- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GD25LD80CEIGR
GD25LD80CEIGR
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- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD25LD80CEIGR
- 商品编号
- C5718249
- 商品封装
- USON-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.65V~2V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护 |
商品概述
GD25LD80C（8M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双输出模式：串行时钟、片选、串行数据输入/输出0（SI）和输出1（SO）。双输出模式下的数据传输速度可达80Mbps。
商品特性
- 8M位串行闪存，容量为1024K字节，每页可编程256字节。
- 支持标准SPI和双输出接口。
- 时钟频率：在30pF负载下，快速读取频率为50MHz；双输出数据传输速率高达80Mbps。
- 提供软件/硬件写保护功能，可通过软件保护全部或部分存储器，并可通过WP#引脚启用或禁用保护。
- 具备高级安全特性，每个器件拥有128位ID。
- 最小可承受100,000次编程/擦除周期。
- 典型数据保存期为20年。
- 快速的编程/擦除速度：典型页编程时间为1.6ms，典型扇区擦除时间为150ms，典型块擦除时间为0.5/0.8s，典型芯片擦除时间为12s。
- 灵活的架构：具有4K字节的统一扇区和32/64K字节的统一块。
- 低功耗：典型待机电流为0.1uA，典型掉电电流为0.1uA。
- 单电源电压供电，完整电压范围为1.65 ~ 2.0V。
- 提供多种封装选项。