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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 85MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 240mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO） > -300 V
- 连续集电极电流高，IC = -1 A
- 脉冲峰值电流 ICM = -2 A
- 低饱和电压 VCE(sat) < -240 mV（@ -1 A）
- 规定在 -2A 电流下的电流放大倍数（hFE），以保持高增益
- 互补 NPN 型：DIODES FZT857
- 无铅涂层；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 另有符合汽车标准的型号，数据手册单独提供 DIODES (FZT957Q)
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