- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 110MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）> -200 V
- 连续集电极电流高，IC = -2 A
- 脉冲电流峰值，IC = -5 A
- 低饱和电压，在 -1 A 时，VCE(sat) < -165 mV
- 高增益保持，hFE 规格高达 -5 A
- 无铅涂层；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 另有符合汽车标准的型号（DIODES FZT956Q），数据手册单独提供
- GA1812A472JXEAT31G
- GA1812A472KBAAR31G
- G-1131-0000
- GA1812A560JXLAT31G
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- G-127L-0000
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- GA1812Y103MBEAR31G
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