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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM2300NSA

N沟道增强型场效应晶体管

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描述
特性:Trench FET Power MOSFET 。 优秀的RDS(ON)和低栅极电荷。 RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 2.5V)。应用:DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
商品型号
ATM2300NSA
商品编号
C5713481
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0408克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@4.5V,3A
属性参数值
耗散功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th))450mV
输入电容(Ciss)260pF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
  • 高转换效率
  • 低RDS(ON) — 最小化导通损耗
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 栅极具备ESD保护
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 同步整流器-DC-DC转换器-电源管理

数据手册PDF