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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DI050N06D1

1个N沟道 耐压:65V 电流:50A

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商品型号
DI050N06D1
商品编号
C5711541
商品封装
TO-252-3(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.528571克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)65V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
耗散功率(Pd)42W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)825pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),封装为小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 先进沟槽技术
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 雪崩额定值
  • 符合RoHS(豁免条款7a)、REACH和冲突矿物法规

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 电源
  • 直流驱动器
  • 同步整流器

数据手册PDF