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DF200R12W1H3FB11引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

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DF200R12W1H3FB11

DF200R12W1H3FB11

商品型号
DF200R12W1H3FB11
商品编号
C5711276
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)-
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)30A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.45V
栅极阈值电压(Vge(th))5.8V
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Cies)6.15nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)345pF
开启延迟时间(Td(on))18ns
关断延迟时间(Td(off))300ns
导通损耗(Eon)730uJ
关断损耗(Eoff)1.3mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃

商品特性

  • CoolSiC™ 肖特基二极管 第五代
  • 高速 IGBT H3
  • 低开关损耗
  • Al₂O₃ 衬底,热阻低
  • 集成 NTC 温度传感器
  • 紧凑型设计
  • PressFIT 连接技术

应用领域

  • 太阳能应用

数据手册PDF