PHK12NQ03LT,518
1个N沟道 耐压:30V 电流:11.8A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHK12NQ03LT,518
- 商品编号
- C5708885
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.335nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制电子系统 DC-DC转换器
商品特性
-低导通电阻-快速开关
应用领域
-直流-直流转换器-便携式设备应用