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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PBSS302ND,125
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 190 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 220mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
采用SOT457（SC - 74）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号为PBSS302PD。
商品特性
- 超低集电极 - 发射极饱和电压VCEsat
- 4A连续集电极电流能力IC
- 高达15A的峰值电流
- 极低的集电极 - 发射极饱和电阻
- 因发热少而效率高
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 电源管理功能
- 充电电路
- DC - DC转换
- MOSFET栅极驱动
- 电源开关（如电机、风扇）
- 薄膜晶体管（TFT）背光源逆变器
- P51-75-A-L-MD-20MA-000-000
- P51-75-A-L-P-5V-000-000
- PBT-RP100SN1SS0AMA0Z
- P51-75-G-F-I36-5V-000-000
- PBT-RP160SN1SS0ALA0Z
- P51-75-G-L-D-20MA-000-000
- PBT-RP300SN1SS0VLC0Z
- P51-75-S-I-P-5V-000-000
- PBT-RP5K0SN1SS0ALA0Z
- P51-75-S-L-I12-5V-000-000
- PBT-RP8K0SN1SS0AMA0Z
- P51-750-A-I-I12-4.5OVP-000-000
- PBW15F-12-G
- P51-750-A-L-I12-5V-000-000
- PBW15F-15-C
- P51-750-A-L-M12-4.5V-000-000
- PBW15F-15-CN
- P51-750-A-L-P-20MA-000-000
- PBW15F-15-G
- P51-750-S-I-MD-4.5OVP-000-000
- PBW15F-15-TN