2N7002,215
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 品牌名称Nexperia(安世)
商品型号
2N7002,215商品编号
C65189商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：300mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：50pF @ 10V
功率 - 最大值：830mW
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：300mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：50pF @ 10V
功率 - 最大值：830mW
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）
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