2N7002,215
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- 2N7002,215
- 商品编号
- C65189
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.8pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 表面贴装封装
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 逻辑电平转换器
- 高速线路驱动器
- MFR01SF1200A10
- MV101M6R3E055ETR
- MV471M6R3F105ETR
- MV221M6R3E077ETR
- DV101M010C055ETR
- DV221M050G105ETR
- DV221M035F105ETR
- DV101M035E077ETR
- DV221M025F105ETR
- DV471M016F105ETR
- ZV100M050E055ETR
- HV330M010C055ETR
- HV101M6R3E055ETR
- HV102M010G105ETR
- 0805W8F1805T5E
- WJ2EDGKB-5.08-11P-14-00A
- 181207J0224T4E
- 181207J0513T4E
- STM32F303RCT6
- L6206PD013TR
- L6208PD013TR