2N7002,215
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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描述
N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
- 品牌名称Nexperia(安世)
商品型号
2N7002,215商品编号
C65189商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,500mA |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
耗散功率(Pd) | 830mW | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:830mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:830mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
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