NP74N04YUG-E1-AY
1个N沟道 耐压:40V 电流:75A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP74N04YUG-E1-AY
- 商品编号
- C5701808
- 商品封装
- HSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,37.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 120W；1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.43nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NP75N04YUG是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(on) = 4.8 mΩ（栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 37.5 A）
- 低导通电阻
- 低输入电容Ciss：典型输入电容Ciss = 4300 pF（漏源电压VDS = 25 V，栅源电压VGS = 0 V）
- 专为汽车应用设计，符合AEC - Q101标准
- 采用8引脚HSON小尺寸封装