SST26WF064CT-104I/SO

串行四路I/O™（SQI™）系列闪存器件采用六线制、4位I/O接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。该器件还支持与传统串行外设接口（SPI）协议完全兼容的指令集。使用SQI闪存器件的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。该系列所有器件均采用专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造。与替代方案相比，其分栅单元设计和厚氧化层隧道注入器实现了更好的可靠性和可制造性。该器件显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。这些器件在1.65-1.95V的单电源电压下进行写入（编程或擦除）操作。消耗的总能量是所施加电压、电流和施加时间的函数。在任何给定的电压范围内，SuperFlash技术使用更少的电流进行编程，并具有更短的擦除时间。因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。该器件提供8触点WDFN（6 mm × 5 mm）、8引脚SOIJ（5.28 mm）、16引脚SOIC（7.50 mm）和24球TBGA（8 mm × 6 mm）封装。上电默认配置下，WP#和RESET#/HOLD#引脚使能，SIO2和SIO3引脚禁用，以启动SPI协议。

• 单电压读写操作：1.65-1.95V
• 串行接口架构
• 模式0和模式3
• 具有类SPI串行指令结构的半字节宽复用I/O
• ×1/×2/×4串行外设接口（SPI）协议
• 双倍数据速率（DTR）操作
• 高时钟频率：最高104 MHz，DTR模式下最高54 MHz
• 突发模式：连续线性突发；支持回绕的8/16/32/64字节线性突发
• 卓越的可靠性：耐久性：100，000次循环（最小值）；数据保存期超过100年
• 低功耗：典型工作读取电流15 mA（@ 104 MHz）；典型待机电流10 μA；典型深度掉电电流2.5 μA
• 快速擦除时间：典型扇区/块擦除时间18 ms（最大25 ms）；典型芯片擦除时间35 ms（最大50 ms）
• 页编程：在×1或×4模式下每页256字节
• 写操作结束检测：通过软件轮询状态寄存器中的BUSY位
• 灵活的擦除能力：统一的4 KB扇区；四个8 KB顶部和底部参数覆盖块；一个32 KB顶部和底部覆盖块；统一的64 KB覆盖块
• 写挂起：可挂起编程或擦除操作以访问其他块/扇区
• 软件复位（RST）模式
• 硬件复位引脚
• 支持符合JEDEC标准的串行闪存可发现参数（SFDP）表
• 软件保护：具有永久锁定功能的独立块写保护（64 KB块、两个32 KB块和八个8 KB参数块）；顶部和底部8 KB参数块的读保护
• 安全ID：一次性可编程（OTP）2 KB安全ID；64位工厂预编程标识符；用户可编程区域
• 温度范围：工业级：-40°C 至 +85°C
• 可用封装：8触点WDFN（6 mm × 5 mm）；8引脚SOIJ（5.28 mm）；16引脚SOIC（7.50 mm）；24球TBGA（8 mm × 6 mm）
• 所有器件均符合RoHS标准