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MX25L12872FZNI-10G引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25L12872FZNI-10G

MX25L12872FZNI-10G

品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25L12872FZNI-10G
商品编号
C5687021
商品封装
WSON-8-EP(5x6)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.683克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量128Mbit
时钟频率(fc)133MHz
属性参数值
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
功能特性绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品概述

MX25L12872F是一款3V、128M位的CMOS MXSMIO(串行多输入输出)闪存存储器。它支持串行外设接口模式0和模式3,采用单电源供电,工作电压为2.7至3.6伏,适用于读取、擦除和编程操作。该存储器有134,217,728 x 1位、67,108,864 x 2位(双输入输出模式)或33,554,432 x 4位(四输入输出模式)三种结构。它支持单输入输出、双输入输出和四输入输出协议,时钟频率最高可达133MHz,支持多种读取指令,具备可配置的快速读取操作空周期数。默认启用四输入输出模式,支持性能增强模式 - XIP(即取即用)。其扇区大小为4K字节,块大小为32K或64K字节,可单独擦除。编程方面,有256字节页缓冲区,采用四输入输出页编程(4PP)以提高编程性能,典型擦除/编程周期为100,000次,数据保留时间为20年。此外,它还具备先进的安全功能,如块锁保护、先进扇区保护功能、额外的8K位安全一次性可编程(OTP)区域,支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式。

商品特性

  • 支持串行外设接口 -- 模式0和模式3
  • 单电源操作
  • 读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏
  • 134,217,728 x 1位结构,或67,108,864 x 2位(双I/O模式)结构,或33,554,432 x 4位(四I/O模式)结构
  • 协议支持 - 单I/O、双I/O和四I/O
  • 闩锁保护至100 mA,从-1 V至Vcc +1V
  • SPI模式快速读取
  • 支持所有协议时钟频率高达133MHz
  • 支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令
  • 可配置快速读取操作的虚拟周期数
  • 支持性能增强模式 - XIP(就地执行)
  • 默认四I/O使能(QE位=1),且不可更改
  • 四外围接口(QPI)可用
  • 相等的4K字节扇区,或相等的32K字节或64K字节块
  • 任何块可单独擦除
  • 编程:256字节页缓冲器
  • 四输入/输出页编程(4PP)以增强编程性能
  • 典型100,000次擦除/编程周期
  • 20年数据保留
  • 输入数据格式 - 1字节命令代码
  • 高级安全特性 - 块锁定保护
  • BP0-BP3和T/B状态位定义保护区域大小,防止编程和擦除指令
  • 高级扇区保护功能(Solid Protect)
  • 额外的8K位安全OTP
  • 具有标识符
  • 工厂锁定可识别,客户可锁定
  • 命令复位
  • 编程/擦除挂起和恢复操作
  • 电子识别 - JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
  • RES命令用于1字节设备ID
  • REMS命令用于1字节制造商ID和1字节设备ID
  • 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
  • SCLK输入 - 串行时钟输入
  • SI/SI00输入

数据手册PDF