MX25L12872FZNI-10G
MX25L12872FZNI-10G
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L12872FZNI-10G
- 商品编号
- C5687021
- 商品封装
- WSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.683克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 绝对写保护;写使能锁存;软件写保护 |
商品概述
MX25L12872F是一款3V、128M位的CMOS MXSMIO(串行多输入输出)闪存存储器。它支持串行外设接口模式0和模式3,采用单电源供电,工作电压为2.7至3.6伏,适用于读取、擦除和编程操作。该存储器有134,217,728 x 1位、67,108,864 x 2位(双输入输出模式)或33,554,432 x 4位(四输入输出模式)三种结构。它支持单输入输出、双输入输出和四输入输出协议,时钟频率最高可达133MHz,支持多种读取指令,具备可配置的快速读取操作空周期数。默认启用四输入输出模式,支持性能增强模式 - XIP(即取即用)。其扇区大小为4K字节,块大小为32K或64K字节,可单独擦除。编程方面,有256字节页缓冲区,采用四输入输出页编程(4PP)以提高编程性能,典型擦除/编程周期为100,000次,数据保留时间为20年。此外,它还具备先进的安全功能,如块锁保护、先进扇区保护功能、额外的8K位安全一次性可编程(OTP)区域,支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式。
商品特性
- 支持串行外设接口 -- 模式0和模式3
- 单电源操作
- 读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏
- 134,217,728 x 1位结构,或67,108,864 x 2位(双I/O模式)结构,或33,554,432 x 4位(四I/O模式)结构
- 协议支持 - 单I/O、双I/O和四I/O
- 闩锁保护至100 mA,从-1 V至Vcc +1V
- SPI模式快速读取
- 支持所有协议时钟频率高达133MHz
- 支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令
- 可配置快速读取操作的虚拟周期数
- 支持性能增强模式 - XIP(就地执行)
- 默认四I/O使能(QE位=1),且不可更改
- 四外围接口(QPI)可用
- 相等的4K字节扇区,或相等的32K字节或64K字节块
- 任何块可单独擦除
- 编程:256字节页缓冲器
- 四输入/输出页编程(4PP)以增强编程性能
- 典型100,000次擦除/编程周期
- 20年数据保留
- 输入数据格式 - 1字节命令代码
- 高级安全特性 - 块锁定保护
- BP0-BP3和T/B状态位定义保护区域大小,防止编程和擦除指令
- 高级扇区保护功能(Solid Protect)
- 额外的8K位安全OTP
- 具有标识符
- 工厂锁定可识别,客户可锁定
- 命令复位
- 编程/擦除挂起和恢复操作
- 电子识别 - JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
- RES命令用于1字节设备ID
- REMS命令用于1字节制造商ID和1字节设备ID
- 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
- SCLK输入 - 串行时钟输入
- SI/SI00输入
- MX25L25645GZNI-10G
- MX25L3239EM2I-10G
- MX25L6456EXDI-10G
- MX25R1635FZUIH0
- MX25R2035FZUIH1
- MX25U1632FBHI02
- MX25U1633FZUJ
- EEU-FC0J331S
- NEVO+600M-8543-DK000
- EEU-FC1C271BJ
- NEVO+600M-8823-DK000
- EEU-FC1C821S
- NEVO+600ML-0040-DK000
- EEU-FC2A2R2B
- NEVO+600ML-0052-DK000
- EEU-FM1V681
- NEVO+600ML-0054-DK000
- EEU-FR1C152B
- NEVO+600ML-0103-DK000
- EEU-HD1C472
- NEVO+600ML-0115-DK000

