NE5550279A-T1A-A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE5550279A-T1A-A
- 商品编号
- C5686364
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 6.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高输出功率：输出功率P_out = 33.0 dBm（典型值）(VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)
- 高附加功率效率：附加功率效率η_add = 68%（典型值）(VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)
- 高线性增益：线性增益G_L = 22.5 dB（典型值）(VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 0 dBm)
- 高静电放电耐受性
- 适用于甚高频至超高频AB类功率放大器。
应用领域
- 150 MHz频段无线电系统
- 460 MHz频段无线电系统
- 900 MHz频段无线电系统
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