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MMIX1F230N20T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MMIX1F230N20T

MMIX1F230N20T

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商品型号
MMIX1F230N20T
商品编号
C5674634
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)156A
导通电阻(RDS(on))8.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)600W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)358nC@10V
输入电容(Ciss)24nF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 直接覆铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
  • 隔离基板
  • 出色的热传递性能
  • 增强的温度和功率循环能力
  • 高隔离电压(2500V 及以上)
  • 175°C 工作温度
  • 极高的电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)-初级侧开关-高速功率开关应用-源-漏二极管

数据手册PDF