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MG12150S-BN2MM引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MG12150S-BN2MM

MG12150S-BN2MM

商品型号
MG12150S-BN2MM
商品编号
C5670642
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)625W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)200A
集电极脉冲电流(Icm)300A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.9V;1.7V
栅极阈值电压(Vge(th))-
栅极电荷量(Qg)1.4uC@600V
属性参数值
输入电容(Cies)10.5nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)400pF
开启延迟时间(Td(on))290ns;260ns
关断延迟时间(Td(off))420ns;520ns
导通损耗(Eon)12mJ;16mJ
关断损耗(Eoff)11mJ;14.5mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+125℃

商品特性

  • 高短路能力,自限式短路电流
  • IGBT3芯片(沟槽+场截止技术),VCE(sat)具有正温度系数
  • 快速开关和短拖尾电流
  • 续流二极管具有快速且软的反向恢复特性
  • 低开关损耗

应用领域

  • 高频开关应用
  • 医疗应用
  • 运动/伺服控制
  • 不间断电源系统

数据手册PDF