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TP5322N8-G

1个P沟道耐压:220V 电流:260mA

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: TP5322N8-G
商品编号: C629210
商品封装: SOT-89-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.138克(g)

商品参数

商品概述

TP5322低阈值增强型（常开）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。微芯科技（Microchip）的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

最大低阈值2.4V
高输入阻抗
最大低输入电容110 pF
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏电流

应用领域

逻辑电平接口（适用于TTL和CMOS）
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	220V
	连续漏极电流(Id)	700mA
	导通电阻(RDS(on))	-

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	900mW
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V
	输入电容(Ciss)	110pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)