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TP2435N8-G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TP2435低阈值增强模式（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 微芯科技的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 低阈值
- 高输入阻抗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 逻辑电平接口（适用于TTL和CMOS）
- 固态继电器
- 线性放大器
- 模拟开关
- 电源管理
- 电信开关