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TP2104N3-G-P003
1个P沟道 耐压:40V 电流:175mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TP2104N3-G-P003
- 商品编号
- C629202
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 175mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
TP2104低阈值增强型(常开)晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体(DMOS)结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性,该器件不会出现热失控和热致二次击穿。
微芯科技(Microchip)的垂直DMOS场效应晶体管(FET)非常适合各种开关和放大应用,这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 高输入阻抗和高增益
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容(CISS)和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 无二次击穿
应用领域
-逻辑电平接口(适用于TTL和CMOS)-固态继电器-模拟开关-电源管理-电信开关