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LMG3522R030RQST

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描述: LMG3522R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG3522R030RQST
商品编号: C5663745
商品封装: VQFN-52(12x12)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.433333克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

集成驱动器和保护功能的LMG3522R030氮化镓场效应晶体管（GaN FET）适用于开关模式电源转换器，使设计人员能够实现更高的功率密度和效率。 LMG3522R030集成了一个硅基驱动器，可实现高达150 V/ns的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，德州仪器（TI）的集成精密栅极偏置可实现更高的开关安全工作区（SOA）。这种集成与TI的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中实现干净的开关操作和最小的振铃。可调的栅极驱动强度允许将压摆率控制在20 V/ns至150 V/ns之间，可用于主动控制电磁干扰（EMI）并优化开关性能。

商品特性

集成栅极驱动器的650 V硅基氮化镓场效应晶体管
集成高精度栅极偏置电压
200 V/ns的场效应晶体管关断能力
2 MHz开关频率
20 V/ns至150 V/ns的压摆率，用于优化开关性能和降低电磁干扰
7.5 V至18 V电源供电
逐周期过流保护和锁存短路保护，响应时间小于100 ns
硬开关时可承受720 V浪涌
通过内部过温监测和欠压锁定（UVLO）监测实现自我保护

应用领域

开关模式电源转换器
商用网络和服务器电源
商用电信整流器
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源

数据手册PDF

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