IS62WVS1288GBLL-45NLI-TR
IS62WVS1288GBLL-45NLI-TR
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- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WVS1288GBLL-45NLI-TR
- 商品编号
- C5656787
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
SSI/ IS62/65WVS1288GALL/GBLL是1M位快速串行静态随机存取存储器，组织形式为128K字节×8位。它采用/SSI/的高性能CMOS技术制造。该器件通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS#）输入来控制对器件的访问。此外，如果应用需要更高的数据速率，还支持SDI（串行双接口）和SQL（串行四接口）。该器件还支持对存储阵列进行无限制的读写操作。IS62/65WVS5128GALL/GBLL采用标准的8引脚SOIC封装。
商品特性
- SPI兼容总线接口：
- 30/45 MHz时钟速率
- SPI/SDI/SQI模式
- 单电源供电：
- VDD = 1.65V - 2.2V（IS62/65WVS1288GALL）
- VDD = 2.70V - 3.6V（IS62/65WVS1288GBLL）
- 读取延迟：
- SPI模式：8个时钟周期
- DPI模式：4个时钟周期
- QPI模式：2个时钟周期
- 低功耗CMOS技术：
- 读取电流：在3.6V、45MHz、85°C条件下最大为10mA
- CMOS待机电流：典型值为4μA
- 128K×8位组织形式：
- 32字节页
- 读取和写入支持字节、页和顺序模式
- 支持的温度范围：
- 工业级（I）：-40°C至+85°C
- 汽车级（A3）：-40°C至+125°C
- 符合RoHS标准
- 8引脚SOIC封装