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IRF614

1个N沟道耐压:250V 电流:2.7A

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: IRF614
商品编号: C5656422
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

这是一款N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它是一款先进的功率MOSFET，经过设计、测试，并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。这款功率MOSFET适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。该型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

2.0A,250V
rDS(ON) = 2.0 Ω
单脉冲雪崩能量额定值
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗

应用领域

开关稳压器
开关转换器
电机驱动器
继电器驱动器
需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	250V
	连续漏极电流(Id)	2A
	导通电阻(RDS(on))	2Ω@10V
	耗散功率(Pd)	20W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	180pF
	反向传输电容(Crss)	14pF
	工作温度	-55℃~+150℃