- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HM3-6518-9
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
HM - 6518是一款采用自对准硅栅技术制造的1024 x 1静态CMOS随机存取存储器（RAM）。采用同步电路设计技术以实现高性能和低功耗运行。芯片上设有地址和数据输出锁存器，便于与微处理器系统高效接口。数据输出缓冲器可被强制进入高阻抗状态，用于扩展内存阵列。HM - 6518是完全静态的RAM，可以在任何状态下无限期保持。数据保留电源电压和电源电流在全温度范围内有保证。
商品特性
- 低功耗待机，最大50μW
- 低功耗运行，每兆赫兹最大20mW
- 快速访问时间，最大180ns
- 数据保留，最小2.0V
- TTL兼容输入/输出
- 高输出驱动 - 2个TTL负载
- 高抗噪能力
- 片上地址寄存器
- 两个片选信号，便于阵列扩展
- 三态输出