GP2T080A120H
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:35A
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- 品牌名称
- SemiQ
- 商品型号
- GP2T080A120H
- 商品编号
- C5646621
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
-高速开关-可靠的体二极管-所有部件均经过高于1400 V的测试-雪崩能量测试至200 mJ-用于栅极驱动的驱动源引脚-缺口设计增加爬电距离-更低的电容-更高的系统效率-易于并联-更低的栅极电荷Qg
应用领域
-太阳能逆变器-开关模式电源、不间断电源(UPS)-感应加热与焊接-电动汽车充电站-高压直流/直流转换器-电机驱动器