GP2T040A120H
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:63A
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- 品牌名称
- SemiQ
- 商品型号
- GP2T040A120H
- 商品编号
- C5646619
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@20V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 322W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.192nF@1000V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@1000V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电机控制 DC-DC转换器 电源管理
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热效率高的封装，使应用运行时温度更低
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm，适用于轻薄应用（PowerDI）
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- DMTH10H009SPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电机控制-DC-DC转换器-电源管理