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GP2T040A120H实物图
  • GP2T040A120H商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GP2T040A120H

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:63A

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品牌名称
SemiQ
商品型号
GP2T040A120H
商品编号
C5646619
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
7.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)63A
导通电阻(RDS(on))52mΩ@20V
耗散功率(Pd)322W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)118nC@20V
输入电容(Ciss)3.192nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 电机控制 DC-DC转换器 电源管理

商品特性

  • 高速开关
  • 可靠的体二极管
  • 所有部件均经过测试,耐压大于1400 V
  • 雪崩能量测试至400 mJ*
  • 用于栅极驱动的驱动器源极引脚
  • 更低的电容
  • 更高的系统效率
  • 易于并联
  • 更低的开关损耗
  • 更长的爬电距离

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源、不间断电源(UPS)
  • 感应加热与焊接
  • 电动汽车充电站
  • 高压DC/DC转换器
  • 电机驱动器

数据手册PDF