GD55B01GEFIRR

GD55B01GE（1G位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持Quad SPI和DTR模式：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和RESET#。Quad I/O和Quad输出数据的传输速度为532Mbit/s，DTR Quad I/O数据的传输速度为720Mbit/s。

• 1G位串行闪存，128M字节，每个可编程页面256字节
• 支持标准、Quad SPI、DTR、QPI模式，包括标准SPI（SCLK、CS#、SI、SO、WP#、RESET#）、Quad SPI（SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3、RESET#）、QPI（SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3、RESET#），支持SPI DTR（双传输速率）读取，3或4字节地址模式
• 高速时钟频率，快速读取可达133MHz，Quad I/O数据传输速率高达532Mbit/s，QPI模式数据传输速率高达532Mbit/s，DTR Quad I/O数据传输速率高达720Mbit/s
• 允许XIP（即取即用）操作，高速读取可减少整体XIP指令获取时间，连续读取和环绕功能可进一步减少数据延迟以填充SoC缓存
• 软件/硬件写保护，可通过软件对全部或部分内存进行写保护，可通过WP#引脚启用/禁用保护，支持单个块保护
• 快速编程/擦除速度，页面编程时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间典型值为30ms，块擦除时间典型值为0.15/0.22s，芯片擦除时间典型值为150s
• 灵活架构，4K字节扇区，32/64K字节块，支持擦除/编程暂停/恢复
• 低功耗，典型待机电流32μA，典型掉电电流4μA
• 高级安全特性，128位唯一ID，4K字节带OTP锁的安全寄存器
• 单电源电压，全电压范围2.7 ~ 3.6V
• 耐用性和数据保留，最少100,000次编程/擦除循环，典型数据保留时间20年
• 封装信息，SOP16 300mil、WSON8（8x6mm）、TFBGA - 24球（5x5球阵列）