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DMP3165LQ-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.3A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3165LQ-7
- 商品编号
- C5632671
- 商品封装
- SOT23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能
- DMT10H003SPSW-13
- D2V5L1BS2LP3-7
- DDC114EUQ-7-F
- SMF4L12A-7
- GBU406_HF
- SDT3045VCT
- DESD15VL1BAQ-7
- 2EDGKBM-5.08-06P-14-1000A(H)
- 2EDGKAM-5.08-06P-14-1000A(H)
- 15EDGK-3.5-02P-14-00A(H)
- 15EDGKDM-3.81-06P-14-00A(H)
- DG271V-7.5-02P-14-100A(H)
- DG305-5.0-02P-12-00A(H)
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- 15EDGVM-3.81-10P-14-00A(H)
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