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DMP3165LQ-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.3A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3165LQ-7
- 商品编号
- C5632671
- 商品封装
- SOT23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,3.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- OptiMOS - 汽车应用功率MOSFET
- N沟道 - 增强型
- 通过汽车AEC Q101认证
- 最高可承受260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
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