CY15B116QI-20BKXC

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15B116QI-20BKXC
商品编号: C5613281
商品封装: FBGA-24(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

Excelon LP CY15X116QI是一款采用先进铁电工艺的低功耗16兆位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与随机存取存储器类似。它能够可靠地保存数据达151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X116QI能够以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写入耐久性。CY15X116QI能够支持10¹⁵次读写循环，比EEPROM的写入循环次数多100亿倍。这些特性使CY15X116QI非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，应用范围从对写入循环次数要求较高的数据收集，到对串行闪存或EEPROM写入时间过长可能导致数据丢失有严格要求的工业控制。CY15X116QI作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。它采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。此外，该设备还提供了可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。

商品特性

16兆位铁电随机存取存储器，逻辑组织为2048K × 8位
几乎无限的耐久性，支持1000万亿次读写操作
数据保持时间可达151年
无延迟写入操作
采用高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口，频率高达20兆赫兹，支持SPI模式0和模式3
提供硬件写保护、软件写禁止指令以及针对1/4、1/2或整个存储阵列的软件块保护等多重写保护方案
包含制造商ID、产品ID、设备ID和序列号
提供专用的256字节特殊扇区，其存储内容可承受多达三次标准回流焊循环
低功耗设计，典型工作电流为1.50毫安，待机电流为14微安，深度掉电模式电流为1.10微安，高休眠模式电流为0.1微安，上电浪涌电流为1.90毫安
支持低电压操作，CY15V116QI型号工作电压范围为1.71伏至1.89伏，CY15B116QI型号工作电压范围为1.8伏至3.6伏
商业工作温度范围为0摄氏度至+70摄氏度
采用24球细间距球栅阵列封装
符合有害物质限制标准

应用领域

数据收集
工业控制

数据手册PDF

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