C8051F540-IMR

该产品具有高达200ksps的采样率，最多25个外部单端输入，参考电压VREF可来自片上VREF、外部引脚或VDD，转换源可选择内部或外部启动，还内置温度传感器。有两个比较器，具备可编程迟滞和响应时间，可配置为中断或复位源且电流低。片上调试电路便于全速、非侵入式的系统内调试，提供断点、单步执行、检查/修改内存和寄存器功能，性能优于使用ICE芯片、目标插板和插座的仿真系统，开发套件成本低。供电电压范围为1.8至5.25V，典型工作电流在50MHz时为19mA，典型停止模式电流为1μA。采用高速8051微控制器内核，具有流水线指令架构，70%的指令在1或2个系统时钟内执行，50MHz时钟下吞吐量高达50MIPS，有扩展中断处理程序。内存方面，有1280字节内部数据RAM（256 + 1024 XRAM），16或8kB闪存，可在系统内以512字节扇区进行编程。数字外设包括25或18个端口I/O，均为5V耐压，有LIN 2.1控制器（支持主从模式，无需晶体），硬件增强型UART、SMBus和增强型SPI串行端口，四个通用16位计数器/定时器，16位可编程计数器阵列（PCA）带有六个捕获/比较模块和增强型PWM功能。时钟源有内部24MHz（精度±0.5%）用于主LIN操作，外部振荡器可选择晶体、RC、C或时钟（1或2引脚模式），可动态切换时钟源，在节能模式下很有用。封装有32引脚QFP/QFN（C8051F540/1/4/5）和24引脚QFN（C8051F542/3/6/7），符合汽车级标准，温度范围为 -40至 +125°C，符合AEC - Q100标准。

• 高达200ksps采样率
• 最多25个外部单端输入
• VREF可来自片上VREF、外部引脚或VDD
• 转换源可选择内部或外部启动
• 内置温度传感器
• 两个比较器，可编程迟滞和响应时间，可配置为中断或复位源，低电流
• 片上调试电路便于全速、非侵入式系统内调试
• 供电电压1.8至5.25V
• 典型工作电流：50MHz时19mA；典型停止模式电流：1μA
• 高速8051微控制器内核，流水线指令架构，70%指令在1或2个系统时钟内执行，50MHz时钟下吞吐量高达50MIPS，有扩展中断处理程序
• 1280字节内部数据RAM（256 + 1024 XRAM），16或8kB闪存，可在系统内以512字节扇区编程
• 25或18个端口I/O，均为5V耐压
• LIN 2.1控制器（支持主从模式，无需晶体）
• 硬件增强型UART、SMBus和增强型SPI串行端口
• 四个通用16位计数器/定时器
• 16位可编程计数器阵列（PCA）带有六个捕获/比较模块和增强型PWM功能
• 内部24MHz（精度±0.5%）用于主LIN操作，外部振荡器可选择晶体、RC、C或时钟（1或2引脚模式），可动态切换时钟源
• 32引脚QFP/QFN（C8051F540/1/4/5）和24引脚QFN（C8051F542/3/6/7）封装
• 温度范围 -40至 +125°C，符合AEC - Q100标准