C4D30120H
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 整流电流 | 94A | |
| 正向压降(Vf) | 1.8V@30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 1.2kV | |
| 反向电流(Ir) | 250uA@1200V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 233A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
商品概述
凭借碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管的性能优势，电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准，同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC二极管可以轻松并联，以满足各种应用需求，无需担心热失控问题。结合SiC产品降低的散热要求和改善的热性能，SiC二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。
商品特性
- 具有正温度系数的低正向电压（VF）降
- 零反向恢复电流/正向恢复电压
- 与温度无关的开关特性
- 增加爬电距离/电气间隙 + 高电压 - 高温高湿反偏应力测试（HV - H3TRB）耐受性
应用领域
电池充电器、太阳能及可再生能源电力转换、工业电源、功率因数校正（PFC）和直流 - 直流转换中的升压二极管