商品参数
参数完善中
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已按照相应的AEC标准进行设计和鉴定,适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 符合Q101标准
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V和24 V负载
- 汽车及通用电源开关
- 电机、灯具和螺线管
- BUK9880-55A/CU,115
- BUK9Y1R9-40H,115
- C0805C201F3HAC7800
- BZD17C100P RVG
- C0805C201F5HACAUTO
- BZD17C100P-E3-18
- C0805C209B4HACAUTO
- BZD17C120P RVG
- BUK9C10-55BIT/A,11
- C0805C224J5REC7800
- C0805C270M3HAC7800
- BZD17C13P-E3-18
- C0805C271KDRACTU
- BZD17C160P-E3-18
- BUS0020
- C0805C309C3HACAUTO
- BZD17C22P-E3-18
- C0805C333K5RACTM
- BZD17C3V9P-E3-18
- BV-1632-G
- C0805C339C3HACAUTO

