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商品参数
参数完善中
商品概述
功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复dv/dt能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss / Ciss比值，使其具备出色的抗噪能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。
商品特性
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 符合Q101标准
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V和24 V负载
- 汽车及通用电源开关
- 电机、灯具和螺线管