商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 600A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.46kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 28nF@10V |
商品概述
这款专为汽车应用设计的HEXFET功率MOSFET采用条形平面设计，运用了最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定值
- 在结温最大值（Tjmax）以下允许重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证*
应用领域
- 汽车
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