BR93A56RFJ-WME2
BR93A56RFJ-WME2
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR93A56RFJ-WME2
- 商品编号
- C5603109
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 2Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 2MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；软件写保护功能 | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
BR93Axx-WM是采用串行3线接口方式的串行EEPROM。
商品特性
- 芯片选择、串行时钟、串行数据输入/输出（输入和输出共享）的3线通信
- 宽温度范围 -40°C至 +105°C
- 可在2MHz时钟（2.5V至5.5V）的高速下操作
- 支持快速写入（最大写入时间5ms）
- 从1Kbit到16Kbit具有相同的封装和引脚布局
- 2.5V至5.5V单电源操作
- 读取操作时具有地址自动递增功能
- 写入错误预防功能：上电时禁止写入；通过命令代码禁止写入；低电压时的写入错误预防功能
- 编程周期自动删除和自动结束功能
- 通过READY / BUSY显示编程状态
- 低电流消耗：写入操作（5V时）：1.2mA（典型值）；读取操作（5V时）：0.3mA（典型值）；待机状态（5V时）：0.1μA（典型值）（CMOS输入）
- TTL兼容（输入/输出）
- 数据保留40年（Ta ≤ 25°C）
- 耐久性高达1,000,000次（Ta ≤ 25°C）
- 出厂时所有地址的数据为FFFFh
- 通过AEC-Q100认证